IRF640NPBF
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TO220
全新原装、公司现货销售
参数：
| 类别 | 分立式导体产品 |
|---|---|
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 18A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 150W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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